价 格: | 1.00 | |
品牌: | INFINEON/英飞凌 | |
型号: | IPI80N04S2-H4 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | DC/直流 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
材料: | GE-N-FET锗N沟道 | |
开启电压: | 124(V) | |
夹断电压: | 24(V) | |
低频跨导: | 3(μS) | |
极间电容: | 45t(pF) | |
低频噪声系数: | 234(dB) | |
漏极电流: | 2154(mA) | |
耗散功率: | 3r(mW) |
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