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场效应管 ISL9N306AD3ST N306AD ISL9N306AD3

价 格: 面议
漏极电流:50A
封装外形:SMD(SO)/表面封装
型号/规格:ISL9N306AD3ST,MOS,30V,50A,0.006Ω,252
材料:N-FET硅N沟道
品牌/商标:FAIRCHILD/仙童
沟道类型:N沟道
种类:绝缘栅(MOSFET)
夹断电压:20
导电方式:增强型
极间电容:3400

产品型号:ISL9N306AD3ST

封装:SOT-252/DPAK

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30

夹断电压VGS(V):±20

漏极电流Id(A):50

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.006 @VGS =10 V

开启电压VGS(TH)(V):3

功率PD(W):125

极间电容Ciss(PF):3400

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s):

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

温度(℃): -55 ~175

描述:30V,75A N-Channel 功率MOSFET


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深圳市金城微零件有限公司
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<友情提示>具体价格视当天市场行情而定.买家请通过电话或贸易通在线联系,以确定当日市场价格。以免造成双方的误会与纠纷,谢谢您!全新!价格优惠!现货供应!MOS管,广泛应用于电池充电器,普通电源,智能开关电源,灯具功率开关,LED,车载,玩具,电动车,电脑主板.30V场效应管(MOSFET):PH4830L,SOT669,NXP/恩智浦,08NPB,N场,30V,84A,0.0048ΩAP90T03GH,SOT-252,AP/富鼎,07NPB,SMD/MOS,30V,75A,0.004ΩISL9N308AD3,TO-251,30V,50A,0.008ΩTPC8032-H,SOP-8,30V,15A,0.0065ΩTPC8A02-H,SOP-8,30V,16A,0.0056ΩTPC8020-H,SOP-8,30V,13A,0.009ΩFDU8874,TO-251,30V,116A,0.0051ΩPH4830L,30V,84A,NXP/恩智浦,SOT669,0.0048ΩIRLU7833,IPF105N03LG,IRFU3709Z,AON5802,AOP600,AOP605AOP605,BSC020N03MSG,BSC022N03SG,BSC025N03MSG,BSC032N03SGBSC042N03SG,BSC052N03SG,BSC059N03SG,BSC079N03SG,AO4606BSC119N03SG,AO4600,AO4601,BSC094N03SG,AO4609L,AO4615AP4532M,APM4532KC-TR,FDS8958A,FW342-TL-E,IRF7389TRPBFSI4505DY-T1,AO4404,AO4406L,AO4408L,AO4410,AO4414,AO4418AO4420,AO4422,AO4468,AO4702L,AO4704,AP4410M,AP66...

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