IXYS/场效应管（FET)/IXFH32N50Q
| 价 格： | 1.00 | |
| 型号/规格： | IXFH32N50Q | |
| 品牌/商标： | IXYS/艾赛斯 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 |
IXFH32N50Q
漏极电流(Id):32A
漏源饱和电压（Vdss）:500V
- 货 号：IXFH32N50Q
- 品 牌：IXYS(艾赛斯)
- 计量单位：只
- 漏源电阻(Rds)： 0.16Ω
技术规格书（PDF）dzsc/18/8758/18875816.jpg
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上海汇勤电子科技有限公司
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