IXQG180N30
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | IXYS/艾赛斯 | |
| 型号/规格： | IXQG180N30 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | DC/直流 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 |
【产品型号】：IXGQ180N30
【生产厂家】：IXYS
【封装形式】：TO-247（又称TO-3P）
【基本参数】：IGBT管 300V 180A 200W
"陈丽燕
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信息内容：（全新原装进口货）PDF文档链接：http://pdf1.alldatasheetcn.com/datasheet-pdf/view/164092/STMICROELECTRONICS/TYN1225.html电压 - 断路：1200V电压 - 栅极触发器 (Vgt)（）：1.5V电流 - 导通状态 (It (AV))（）：16ACurrent - On State (It (RMS)) (Max)：25A电流 - 栅极触发电流 (Igt)（）：40mA电流 - 维持(Ih)：50mA电流 - 非重复电涌，50、60Hz (Itsm)：250A, 260A "
