HER2A电参数
型号 | 正向电流IF(A) | 正向电压VF(V) | 反向电压VR(V) | 反向漏电流IR(uA) | 反向恢复时间TRR(nS) | 封装形式 |
HER201 | 2.0 | 1.0 | 50 | 5.0 | 50 | DO-15 |
HER202 | 2.0 | 1.0 | 100 | 5.0 | 50 | DO-15 |
HER203 | 2.0 | 1.0 | 200 | 5.0 | 50 | DO-15 |
HER204 | 2.0 | 1.3 | 300 | 5.0 | 50 | DO-15 |
HER205 | 2.0 | 1.3 | 400 | 5.0 | 50 | DO-15 |
HER206 | 2.0 | 1.3 | 600 | 5.0 | 70 | DO-15 |
HER207 | 2.0 | 1.7 | 800 | 5.0 | 70 | DO-15 |
HER208 | 2.0 | 1.7 | 1000 | 5.0 | 70 | DO-15 |
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三极管是由两个P-N结够成,NPN三极管就是两头是N型,中间是P型。N端为电子端,P端为空穴端在制造三极管时,要把发射区的N型半导体电子浓度做的很大,基区P型半导体做的很薄,当基极的电压大于发射极电压(硅管要大0.7V,锗管要大0.3V)而小于集电极电压时,这时发射区的电子进入基区,进行复合,形成IE;但由于发射区的电子浓度很大,基区又很薄,电子就会穿过反向偏置的集电结到集电区的N型半导体里,形成IC;基区的空穴被复合后,基极的电压又会进行补给,形成IB。