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场效应管 IRF2907ZSTRLPBF / IRF2907ZS / F2907Z

价 格: 面议
品牌/商标:IR/国际整流器
型号/规格:IRF2907ZSTRLPBF
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:S/开关
封装外形:SMD(SO)/表面封装
材料:N-FET硅N沟道
开启电压:4(V)
极间电容:7500(pF)
漏极电流:160,000(mA)
耗散功率:300,000(mW)

IRF2907ZSTRLPBF中文资料:

制造商

International Rectifier

制造商零件编号

IRF2907ZSTRLPBF

描述

MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK

类别

分离式半导体产品

家庭

FET -单路

系列

HEXFET®

FET

MOSFET N通道,金属氧化物

FET特点

标准型

开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C

4.5毫欧 @ 75A, 10V

漏极至源极电压(Vdss)

75V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C

160A

Id时的 Vgs(th)()

4V @ 250µA

闸电荷(Qg) @ Vgs

270nC @ 10V

在 Vds 时的输入电容(Ciss)

7500pF @ 25V

功率 -

300W

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2引线 接片), TO-263AB

供应商设备封装

D2PAK

包装

带卷 (TR)

 

公司照片:



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