场效应 AO6702L G26D AO6408 AO6408L
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | AO | |
| 型号/规格： | AO6702L,MOS,20V,3.8A,0.05Ω AO6408L,MOS,20V,8.8A,0.018Ω | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 夹断电压： | ±8 | |
| 极间电容： | 449 | |
| 漏极电流： | 3.8A |
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AO6702L,MOS,20V,3.8A,0.05Ω
AO6408L,MOS,20V,8.8A,0.018Ω
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代理MOS KIA50N06 A,HS50N06 PA
信息内容：产品型号:KIA50N06封装:TO-220源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60夹断电压VGS(V):±20漏极电流Id(A):50源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.023 @VGS = 10 V开启电压VGS(TH)(V):4功率PD(W):130极间电容Ciss(PF):900 TYP.通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：单脉冲雪崩能量EAS(mJ):480温度(℃): -55 ~150描述:60V,50A N-Channel PowerTrench MOSFET如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
