场效应管 PHD23NQ10T PHD23NQ10
| 价 格： | 面议 | |
| 漏极电流： | 23A | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 型号/规格： | PHD23NQ10T,MOS,100V,23A,0.07Ω,252 | |
| 开启电压： | 4 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 品牌/商标： | PHILIPS/飞利浦 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 夹断电压： | ±20 | |
| 导电方式： | 增强型 |
产品型号:PHD23NQ10T
封装:SOT-252
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):100
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):23
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.07 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):100
输入电容Ciss(PF):890 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):93
导通延迟时间Td(on)(ns):8 typ.
上升时间Tr(ns):39 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):26 typ.
下降时间Tf(ns):24 typ.
温度(℃): -50 ~175
描述:100V,23A N-channel TrenchMOS transistor
特点:
.Trench技术
.低通态电阻
.快速开关
.低热阻
应用范围：
。DC-DC转换器
。开关电源
。T.V.和电脑显示器的电源供应器
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场效应管 IRL2703S TRL,L2703S
信息内容：IRL2703STRL,SOT-263,IR,SMD/MOS,30V,20A,N场,0.04Ω 全新原装!价格优惠!现货供应! 以优势说话<友情提示>具体价格视当天市场行情而定.买家请通过电话或贸易通在线联系，以确定当日市场价格。以免造成双方的误会与纠纷，谢谢您！全新!价格优惠!现货供应! 以优势说话MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.电脑主板显卡场效应管：IRL2703STRL,SOT-263,IR,SMD/MOS,30V,20A,N场,0.04Ω 全新原装!价格优惠!现货供应! 以优势说话IRL3102STRL,SOT-263,IR,SMD/MOS,20V,61A,N场,0.015Ω 全新原装!价格优惠!现货供应! 以优势说话IRF3711ZS,SOT-263,IR,SMD/MOS,20V,92A,N场,0.006Ω 全新原装!价格优惠!现货供应! 以优势说话IRF3704STRR,SOT-263,IR,SMD/MOS,20V,77A,N场,0.009Ω 全新原装!价格优惠!现货供应! 以优势说话IRF3707ZS,SOT-263,IR,SMD/MOS,30V,59A,N场,0.0095Ω 全新原装!价格优惠!现货供应! 以优势说话IRF3709STRR,SOT-263,IR,SMD/MOS,30V,90A,N场,0.009Ω 全新原装!价格优惠!现货供应! 以优势说话2SK3467-ZK,2SK3467,K3467 05 NEC SOT-263 20V 80A2SK3572-ZK...
场效应管 ISL9N310AS3 N310AS ISL9N310
信息内容：产品型号:ISL9N310AS3封装:TO-262源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30夹断电压VGS(V):±20漏极电流Id(A):62源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.01 @VGS =10 V开启电压VGS(TH)(V):3功率PD(W):70极间电容Ciss(PF):1800通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：单脉冲雪崩能量EAS(mJ):温度(℃): -55 ~175描述:30V,62A N-Channel 功率MOSFET如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
