【士兰微电子】SVF2N60 场效应管N沟道 增强型MOS 高压
| 价 格： | 面议 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 型号/规格： | SVF2N60 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 用途： | DC/直流 | |
| 品牌/商标： | SILAN/士兰微 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 导电方式： | 增强型 |
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士兰微电子 佛山晶品
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这种电流垂直流动的双扩散MOS器件是电压控制型器件。在合适的栅极电压的控制下，半导体表面反型，形成导电沟道，于是漏极和源极之间流过适量的电流
VDMOS兼有双极晶体管和普通MOS器件的优点。与双极晶体管相比，它的开关速度，开关损耗小；输入阻抗高，驱动功率小；频率特性好；跨导高度线性。特别值得指明出的是，它具有负的温度系数，没有双极功率的二次穿问题，安全工作出了区大。因此，不论是开关应用还是线性应用，VDMOS都是理想的功率器件。
现在，VDMOS器件已广泛应用于各种领域，包括电机调速、逆变器、不间熠电源、开关电源、电子开关、高保真音响、汽车电器和电子镇流器等。由于VDMOS的性能价格比已优于比极功率器件，它在功率器件市声中的份额已达42%。并将继续上升。
关于士兰微电子：
专注于半导体集成电路设计与芯片制造产业，向客户提供高质量的集成电路和分立器件芯片产品
经过13年的发展，已经成为一家拥有芯片设计，制造相结合的综合型的集成电路企业，生产经营规模处于国内集成电路行业的前列
以IDM的模式开发高压高功率的特殊集成电路工艺已独具特色。
未来方向：节能减排（直流无刷，变频，LED……）
- 所属城市：广东 佛山
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【士兰微代理】SVF8N60 场效应管
信息内容：dzsc/18/8798/18879805.jpg士兰微电子 佛山晶品dzsc/18/8798/18879805.jpgdzsc/18/8798/18879805.jpg士兰微电子8N60系列场效应管MOSFET产品型号：SVF8N60产品主要参数：ID 8ARdson（max） 1.2ΩVDSS 600V产品封装形式 TO-220-3L(T) , TO-220F-3L(F)产品特性：热阻低、开关速度快、输入阻抗高、典型应用：电子镇流器、电子开关、开关电源、电子变压器等广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱 "
【士兰微MOSFET】SVF12N60 场效应管 SILAN 晶品代理
信息内容：dzsc/18/9950/18995077.jpg士兰微电子 佛山晶品dzsc/18/9950/18995077.jpgdzsc/18/9950/18995077.jpg士兰微电子12N60系列场效应管MOSFET产品型号：SVF12N60产品主要参数：ID 12ARdson（max） 0.8ΩVDSS 600V产品封装形式 TO-220-3L(T) , TO-220F-3L(F)、产品特性：热阻低、开关速度快、输入阻抗高、典型应用：电子镇流器、电子开关、开关电源、电子变压器等广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动
