N通道场效应管D4N60
| 价 格： | 0.10 | |
| 品牌/商标： | WG | |
| 型号/规格： | D4N60 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | A/宽频带放大 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 |
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贴片场效应FDN337N,PDN336P
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MOSFET管IRFP140NPBF
信息内容：家庭MOSFET，GaNFET - 单系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C52 毫欧 @ 16A, 10V漏极至源极电压(Vdss)100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C33AId 时的 Vgs(th)（）4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs94nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)1400pF @ 25V功率 - 140W安装类型通孔封装/外壳TO-247-3 （直引线）, TO-247AC深圳市深霸电子经营部联系人:林先生Mobile:13510201182(深圳) 13556738142(东莞)Phone:0755-83670151 82862581 83669979Fax:0755-83989879Skype:lyd0506MSN:lyd0506@hotmail.comE-Mail:lyd0506@hotmail.comBusiness QQ:187331717贸易通：szshengbadz公司主要服务包括：为客户提供在线及电话报价服务；为客户提供可靠的产品技术资料和参数；提供各种电子元器件配套供销服务；"
