供应场效应STD70NH02L-1
| 价 格： | 0.60 | |
| 品牌： | ST/意法 | |
| 型号： | STD70NH02L-1 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 耗尽型 | |
| 用途： | MOS-HBM/半桥组件 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | GaAS-FET砷化镓 | |
| 开启电压： | 30（V） | |
| 夹断电压： | 30（V） | |
| 跨导： | 345（μS） | |
| 极间电容： | 45（pF） | |
| 低频噪声系数： | 45（dB） | |
| 漏极电流： | 50（mA） | |
| 耗散功率： | 45（mW） |
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蔡楚杰
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