现货热销仙童IRFP150

价格：		面议
品牌：		FAIRCHILD/仙童
型号：		IRFP150
种类：		绝缘栅(MOSFET)
沟道类型：		N沟道
导电方式：		增强型
用途：		NF/音频(低频)
封装外形：		CER-DIP/陶瓷直插
材料：		SIT静电感应
开启电压：		1（V）
夹断电压：		1（V）
低频跨导：		1（μS）
极间电容：		1（pF）
低频噪声系数：		1（dB）
漏极电流：		1（mA）
耗散功率：		1（mW）

详细介绍
企业详情

FSC 仙童代理

Manufacturer:

Fairchild Semiconductor

Product Category:

MOSFETs

RoHS:

dzsc/18/8745/18874527.jpg Details

Product:

General Purpose MOSFETs

Configuration:

Single

Package / Case:

TO-3P

Transistor Polarity:

N-Channel

Drain-Source Breakdown Voltage:

100 V

Continuous Drain Current:

43 A

Power Dissipation:

193000 mW

Forward Transconductance gFS (Max / Min):

10 S

Resistance Drain-Source RDS (on):

0.04 Ohm @ 10 V

Typical Fall Time:

45 ns

Typical Rise Time:

20 ns

Typical Turn-Off Delay Time:

80 ns

Packaging:

TUBE

Gate-Source Breakdown Voltage:

/- 20 V

Maximum Operating Temperature:

175 C

Minimum Operating Temperature:

- 55 C

Type:

MOSFET

深圳市飞捷士科技有限公司

公司信息未核实

所属城市：广东深圳
[联系时请说明来自维库仪器仪表网]
联系人： 杨宝林
电话：755-88250321
传真：755-88250321
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信息内容：

（飞捷电子）经营仙童、IR、ST、ON、全系列IC，MOS管，IGBT管，二三极管，SPM模块等系列产品."

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仙童 MOS IGBT 场效应管Manufacturer:Fairchild Semiconductor Product Category:IGBT Transistors RoHS:dzsc/18/8748/18874810.jpg Details Package / Case:TO-3P Collector- Emitter Voltage VCEO Max:1200 V Collector-Emitter Breakdown Voltage:1200 V Collector-Emitter Saturation Voltage:2 V Maximum Gate Emitter Voltage:20 V Continuous Collector Current Ic Max:50 A Gate-Emitter Leakage Current: /- 250 nA Power Dissipation:312 W Packaging:Tube Configuration:Single

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