让卖家找上门
发布询价>>
您所在的位置:仪器仪表网> 电子元器件>IR IRFP150PBF 场效应管 MOSFET N-CH 100V 41A

IR IRFP150PBF 场效应管 MOSFET N-CH 100V 41A

价 格: 面议
品牌/商标:IR/国际整流器
型号/规格:IRFP150PBF
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:CC/恒流
封装外形:P-DIT/塑料双列直插
材料:ALGaAS铝镓砷

晶体管极性:ñ频道

  • 电流, Id 连续:41A
  • 电压, Vds :100V
  • 在电阻RDS(上):55mohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 功耗, Pd:230W
  • 工作温度范围:-55°C 到 175°C
  • 封装类型:TO-247AC
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2011)
  • 功耗:230W
  • 封装类型:TO-247AC
  • 漏极电流, Id 值:41A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:100V
  • 电压, Vgs :20V
  • 表面安装器件:通孔安装

深圳市佰昇电子有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 叶小姐/叶先生
  • 电话:0755-23998813/83971212/83356529
  • 传真:0755-83971896
  • 手机:18926786066
  • QQ :QQ:354158242QQ:2359403066
公司相关产品

供应原装ST场效应管 STP9NK60ZFP MOSFET N TO-220FP

信息内容:

晶体管极性:ñ频道电流, Id 连续:7A电压, Vds :600V在电阻RDS(上):950mohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:3.75V功耗, Pd:30W工作温度范围:-55°C 到 150°C封装类型:TO-220FP针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011)功率, Pd:30W功耗:30W单脉冲雪崩能量 Eas:235mJ封装类型:TO-220FP漏极电流, Id 值:7A电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds:600V电压, Vds 典型值:600V电压, Vgs :30V电容值, Ciss 典型值:1110pF电???, Idm 脉冲:28A表面安装器件:通孔安装通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:950mohm重复雪崩电流, Iar:7A阈值电压, Vgs th :3V阈值电压, Vgs th :4.5V

详细内容>>

IRFL110TRPBF - 场效应管 MOSFET N 晶体管

信息内容:

晶体管极性:ñ频道电流, Id 连续:1.5A电压, Vds :100V在电阻RDS(上):540mohm电压 @ Rds测量:10V功耗, Pd:2W工作温度范围:-55°C 到 150°C封装类型:SOT-223针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2011)功耗:2W封装类型:SOT-223漏极电流, Id 值:1.5A电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:100V电压, Vgs :20V表面安装器件:表面安装"

详细内容>>

相关产品