价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | IRFP150PBF | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | CC/恒流 | |
封装外形: | P-DIT/塑料双列直插 | |
材料: | ALGaAS铝镓砷 |
晶体管极性:ñ频道
晶体管极性:ñ频道电流, Id 连续:7A电压, Vds :600V在电阻RDS(上):950mohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:3.75V功耗, Pd:30W工作温度范围:-55°C 到 150°C封装类型:TO-220FP针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011)功率, Pd:30W功耗:30W单脉冲雪崩能量 Eas:235mJ封装类型:TO-220FP漏极电流, Id 值:7A电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds:600V电压, Vds 典型值:600V电压, Vgs :30V电容值, Ciss 典型值:1110pF电???, Idm 脉冲:28A表面安装器件:通孔安装通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:950mohm重复雪崩电流, Iar:7A阈值电压, Vgs th :3V阈值电压, Vgs th :4.5V
晶体管极性:ñ频道电流, Id 连续:1.5A电压, Vds :100V在电阻RDS(上):540mohm电压 @ Rds测量:10V功耗, Pd:2W工作温度范围:-55°C 到 150°C封装类型:SOT-223针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2011)功耗:2W封装类型:SOT-223漏极电流, Id 值:1.5A电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:100V电压, Vgs :20V表面安装器件:表面安装"