价 格: | 6.00 | |
品牌: | LT/凌特 | |
型号: | FDP2572 TO-220AB & FDB2572TO-263 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 1.5~4(V) | |
夹断电压: | 150(V) | |
跨导: | 30000000(μS) | |
极间电容: | 5010(pF) | |
低频噪声系数: | 1(dB) | |
漏极电流: | 38000(mA) | |
耗散功率: | 3000(mW) |
VDS=150V, ID=24A(TC=100℃),TO-220AB & TO-263,
RDS(ON) < 50mΩ @ VGS=10V, ID= 20A;
N-MOS, VDS=30, ID=110A(TC=100°C), TO-252, RDS(ON) < 3.3mΩ @VGS = 10V, ID = 30A; RDS(ON) < 4mΩ @VGS = 4.5V, ID = 15A
VDS=30V, ID=52A(TC=100°C), TO-220AB & TO-263, RDS(ON) < 9mΩ @VGS = 10V, ID = 15A; RDS(ON) < 12mΩ @VGS = 4.5V, ID = 12A;"