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FDP2572 TO-220AB & FDB2572TO-263

价 格: 6.00
品牌:LT/凌特
型号:FDP2572 TO-220AB & FDB2572TO-263
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:SW-REG/开关电源
封装外形:SMD(SO)/表面封装
材料:N-FET硅N沟道
开启电压:1.5~4(V)
夹断电压:150(V)
跨导:30000000(μS)
极间电容:5010(pF)
低频噪声系数:1(dB)
漏极电流:38000(mA)
耗散功率:3000(mW)

VDS=150V, ID=24A(TC=100℃),TO-220AB & TO-263,

    RDS(ON) < 50mΩ @ VGS=10V, ID= 20A;

深圳市澜腾达科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 邓聪
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IRLR7843 TO-252

信息内容:

N-MOS, VDS=30, ID=110A(TC=100°C), TO-252, RDS(ON) < 3.3mΩ @VGS = 10V, ID = 30A; RDS(ON) < 4mΩ @VGS = 4.5V, ID = 15A

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IRF3708A TO-220AB&TO-263

信息内容:

VDS=30V, ID=52A(TC=100°C), TO-220AB & TO-263, RDS(ON) < 9mΩ @VGS = 10V, ID = 15A; RDS(ON) < 12mΩ @VGS = 4.5V, ID = 12A;"

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