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场效应管 PHB108NQ03LT / PHB108 NQ03LT / 108N03

价 格: 面议
品牌/商标:NXP Semiconductors
型号/规格:PHB108NQ03LT
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:S/开关
封装外形:SMD(SO)/表面封装
材料:N-FET硅N沟道
开启电压:2(V)
极间电容:1375(pF)
漏极电流:75,000(mA)
耗散功率:187,000(mW)

PHB108NQ03LT中文资料:

制造商

NXP Semiconductors

制造商零件编号

PHB108NQ03LT,118

描述

MOSFET N-CH 25V 75A D2PAK

类别

分离式半导体产品

家庭

FET -单路

系列

TrenchMOS™

FET

MOSFET N通道,金属氧化物

FET特点

逻辑电平门

开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C

6毫欧 @ 25A, 10V

漏极至源极电压(Vdss)

25V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C

75A

Id时的 Vgs(th)()

2V @ 1mA

闸电荷(Qg) @ Vgs

16.3nC @ 4.5V

在 Vds 时的输入电容(Ciss)

1375pF @ 12V

功率 -

187W

安装类型

表面贴装 

封装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2引线 接片), TO-263AB

供应商设备封装

D2PAK

包装

带卷 (TR)

 


公司照片:

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备注:

 

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2、产品繁多,未能一一上传,欢迎与我们联系咨询。

 

 

 

 

 

PHB108NQ03LT订购及咨询:

 

深圳市丰尔电子有限公司

 

电话:0755-83687516(7线)

 

商务QQ:120279071

 

MSN: jason-yufo@hotmail.com

 

E-mail:yufo_ic@163.com

 

手机: 13590258862 / 13531791171

 

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深圳市福田区丰尔电子商行
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  • 所属城市:广东 深圳
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场效应管 FDB6670AL / 6670AL / FDB6670

信息内容:

FDB6670AL中文资料:制造商Fairchild Semiconductor制造商零件编号FDB6670AL描述MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK类别分离式半导体产品家庭FET -单路系列PowerTrench®FET型MOSFET N通道,金属氧化物FET特点逻辑电平门开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C6.5毫欧 @ 40A, 10V漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C80AId时的 Vgs(th)()3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs33nC @ 5V在 Vds 时的输入电容(Ciss)2440pF @ 15V功率 - 68W安装类型表面贴装 封装/外壳TO-263-3, D²Pak (2引线 接片), TO-263AB供应商设备封装D²PAK包装带卷 (TR) 公司照片:dzsc/18/8737/18873791.jpgdzsc/18/8737/18873791.jpgdzsc/18/8737/18873791.jpgdzsc/18/8737/18873791.jpg 备注: 1、如果您对该产品的价格、厂家、型号、图片有什么疑问,请联系我们获取该产品的信息。 2、产品繁多,未能一一上传,欢迎与我们联系咨询。 FDB6670AL订购及咨询: 深圳市丰尔电子有限公司 电话:0755-83687516(7线) 商务QQ:120279071 MSN: jason-yufo@hotmail.com E-mail:yufo_ic@163.com 手机: 13590258862 / 13531791171 更多详情请登录我们的网站:http://www.yufo-ic.cn/ "

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