场效应管 PHB108NQ03LT / PHB108 NQ03LT / 108N03
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | NXP Semiconductors | |
| 型号/规格： | PHB108NQ03LT | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | S/开关 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 2（V） | |
| 极间电容： | 1375（pF） | |
| 漏极电流： | 75,000（mA） | |
| 耗散功率： | 187,000（mW） |
PHB108NQ03LT中文资料：
制造商 | NXP Semiconductors |
制造商零件编号 | PHB108NQ03LT,118 |
描述 | MOSFET N-CH 25V 75A D2PAK |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET -单路 |
系列 | TrenchMOS™ |
FET型 | MOSFET N通道，金属氧化物 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C | 6毫欧 @ 25A, 10V |
漏极至源极电压(Vdss) | 25V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 75A |
Id时的 Vgs(th)（） | 2V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 16.3nC @ 4.5V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 1375pF @ 12V |
功率 - | 187W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2引线 接片), TO-263AB |
供应商设备封装 | D2PAK |
包装 | 带卷 (TR) |
公司照片：
dzsc/18/8735/18873553.jpg
dzsc/18/8735/18873553.jpg
dzsc/18/8735/18873553.jpg
dzsc/18/8735/18873553.jpg
备注：
1、如果您对该产品的价格、厂家、型号、图片有什么疑问，请联系我们获取该产品的信息。
2、产品繁多，未能一一上传，欢迎与我们联系咨询。
PHB108NQ03LT订购及咨询：
深圳市丰尔电子有限公司
电话：0755-83687516（7线）
商务QQ：120279071
MSN： jason-yufo@hotmail.com
E-mail：yufo_ic@163.com
手机： 13590258862 / 13531791171
更多详情请登录我们的网站：http://www.yufo-ic.cn/
"
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 杨金海
- 电话：
- 传真：
- 手机：
- QQ ：
场效应管 FDB6670AL / 6670AL / FDB6670
信息内容：FDB6670AL中文资料：制造商Fairchild Semiconductor制造商零件编号FDB6670AL描述MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK类别分离式半导体产品家庭FET -单路系列PowerTrench®FET型MOSFET N通道，金属氧化物FET特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C6.5毫欧 @ 40A, 10V漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C80AId时的 Vgs(th)（）3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs33nC @ 5V在 Vds 时的输入电容(Ciss)2440pF @ 15V功率 - 68W安装类型表面贴装 封装/外壳TO-263-3, D²Pak (2引线 接片), TO-263AB供应商设备封装D²PAK包装带卷 (TR) 公司照片：dzsc/18/8737/18873791.jpgdzsc/18/8737/18873791.jpgdzsc/18/8737/18873791.jpgdzsc/18/8737/18873791.jpg 备注： 1、如果您对该产品的价格、厂家、型号、图片有什么疑问，请联系我们获取该产品的信息。 2、产品繁多，未能一一上传，欢迎与我们联系咨询。 FDB6670AL订购及咨询： 深圳市丰尔电子有限公司 电话：0755-83687516（7线） 商务QQ：120279071 MSN： jason-yufo@hotmail.com E-mail：yufo_ic@163.com 手机： 13590258862 / 13531791171 更多详情请登录我们的网站：http://www.yufo-ic.cn/ "
场效应管 IRFW720 / IRFW720B / IRFW720TM / IRFW720BTM
信息内容：IRFW720中文资料： 制造商Fairchild Semiconductor制造商零件编号IRFW720描述MOSFET N-CH 400V 3.3A TO-263类别分离式半导体产品家庭FET -单路系列TEMPFET®FET型MOSFET N通道，金属氧化物FET特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C1.75欧 @ 1.65A, 10V漏极至源极电压(Vdss)400V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.3AId时的 Vgs(th)（）4V @ 0.25mA闸电荷(Qg) @ Vgs-在 Vds 时的输入电容(Ciss)600pF @ 25V功率 - 49W安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3, D²Pak (2引线 接片), TO-263AB供应商设备封装P-TO263-3包装带卷 (TR)公司照片：dzsc/18/8740/18874040.jpgdzsc/18/8740/18874040.jpgdzsc/18/8740/18874040.jpgdzsc/18/8740/18874040.jpg 备注： 1、如果您对该产品的价格、厂家、型号、图片有什么疑问，请联系我们获取该产品的信息。 2、产品繁多，未能一一上传，欢迎与我们联系咨询。 IRFW720订购及咨询： 深圳市丰尔电子有限公司 电话：0755-83687516（7线） 商务QQ：120279071 MSN： jason-yufo@hotmail.com E-mail：yufo_ic@163.com 手机： 13590258862 / 13531791171 更多详情请登录我们的网站：http://www.yufo-ic.cn/
