价 格: | 2.20 | |
品牌/商标: | CET/华瑞 | |
型号/规格: | WFP75N06 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
封装外形: | P-DIT/塑料双列直插 | |
材料: | GE-N-FET锗N沟道 | |
低频噪声系数: | 0.1 | |
低频跨导: | 0.1 | |
漏极电流: | 0.1 |
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WFP85N06 TO-220 N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动。
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韩国进口产品现货、质量稳定、价格合理现货长期供应全新场效应管场效应管HX1N60 TO-251 TO-252,质量保证.随时有货.有实力的公司可以月结.欢迎来电WFP75N08 TO-220 N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动。∗ 75A,80V,RDS(on)=0.015Ω@VGS=10V∗ 低栅极电荷量∗ 低反向传输电容∗ 开关速度快dzsc/18/8749/18874956.jpg WFP75N08 TO-220 N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动。∗ 75A,80V,RDS(on)=0.015Ω@VGS=10V∗ 低栅极电荷量∗ 低反向传输电容∗ 开关速度快