价 格: | 3.50 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | IRFBG30 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | A/宽频带放大 | |
封装外形: | WAFER/裸芯片 | |
材料: | GE-N-FET锗N沟道 |
原装现货
配置: | Single |
晶体管极性: | N-Channel |
电阻汲极/源极 RDS(导通): | 5 Ohms |
汲极/源极击穿电压: | 1000 V |
闸/源击穿电压: | +/- 20 V |
漏极连续电流: | 3.1 A |
功率耗散: | 125 W |
工作温度: | + 150 C |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | TO-220AB |
封装: | Tube |
最小工作温度: | - 55 C |
原装现货 欢迎订购说明:记忆卡连接器 9CKT ULTRA LOW PRO 卡类型:SD节距:2.5 mm 方向:Right Angle安装风格:SMD/SMT 排数:1触点数量:9 电流额定值:0.5 A电压额定值:250 V 触点材料:Stainless Steel触点电镀:Gold 外壳材料:Thermoplastic, High Temperature插入-取出类型:Push-Push 安装角:Right安装类型:Standard"
现货批发原装进口IC,量大订货2-3周,欢迎查询订购产品种类:整流器 RoHS:否产品:Ultra Fast Recovery Rectifier 配置:Single反向电压:600 V 正向电压下降:2.4 V恢复时间:25 ns 正向连续电流:8 A浪涌电流:90 A 反向电流 IR:50 uA安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AC封装:Tube 工作温度: 175 C最小工作温度:- 65 C