200v6A场效应MOS管
| 价 格： | 0.70 | |
| 品牌/商标： | WJ | |
| 型号/规格： | IRFR220 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | CC/恒流 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 开启电压： | 0.1（V） | |
| 夹断电压： | 0.1（V） | |
| 跨导： | 0.1（μS） | |
| 极间电容： | 0.1（pF） | |
| 低频噪声系数： | 0.1（dB） | |
| 漏极电流： | 0.1（mA） | |
| 耗散功率： | 0.1（mW） |
R220型VDMOS晶体管
1概述与特点
R220型N沟道VDMOS晶体管，主要用于线性放大、功率开关。其特点如下：
- 开关速度快
- 通态电阻低
- 可并联使用
- 驱动简单
封装形式：TO-252- dzsc/18/8727/18872737.jpg
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IRFR620 场效应MOS管200v 6A
信息内容：dzsc/18/8745/18874516.jpgdzsc/18/8745/18874516.jpgdzsc/18/8745/18874516.jpg R620型VDMOS晶体管 1概述与特点R620型N沟道VDMOS晶体管，主要用于线性放大、功率开关。其特点如下：开关速度快通态电阻低可并联使用驱动简单 封装形式：TO-251插件 和 TO-252贴片封装两种.
60v耐压5A 场效应MOS管SD2310A
信息内容：DescriptionThe SD2310A utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance, extremelyefficient and cost-effectiveness device. The SD2310A is universally used for all commercial-industrial applications.Features* Simple Drive Requirement* Small Package OutlineApplications* Power Management in Notebook Computer* Portable Equipment* Battery Powered System.* Super High Density Cell Design for Extremely Low RDS(ON)dzsc/18/8784/18878403.jpgdzsc/18/8784/18878403.jpgdzsc/18/8784/18878403.jpgdzsc/18/8784/18878403.jpg"
