价 格: | 面议 | |
是否提供加工定制: | 否 | |
品牌/商标: | Mitsubishi/三菱 | |
型号/规格: | RD60HUF1-101 | |
应用范围: | 功率 | |
材料: | 硅(Si) | |
极性: | NPN型 | |
击穿电压VCBO: | 12.5(V) | |
集电极耗散功率PCM: | 60(W) | |
截止频率fT: | 520(MHz) | |
结构: | 面接触型 | |
封装形式: | 贴片型 | |
封装材料: | 金属封装 |
RD60HUF1:RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 520MHz,60W
DESCRIPTION
RD60HUF1 is a MOS FET type transistor specifically designed for UHF High power amplifiers applications.
FEATURES
High power and High Gain:Pout>60W, Gp>7.7dB @Vdd=12.5V,f=520MHz High Efficiency: 55%typ.on UHF Band
APPLICATION
For output stage of high power amplifiers in UHF Band mobile radio sets.RoHS
COMPLIANT
RD60HUF1-101 is a RoHS compliant products.RoHS compliance is indicate by the letter “G” after the Lot Marking.
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