| 价 格: | 1.70 | |
| 品牌: | SAM韩国三星 | |
| 型号: | 20N50 | |
| 种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 导电方式: | 增强型 | |
| 用途: | DC/直流 | |
| 封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料: | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 开启电压: | 500(V) | |
| 夹断电压: | 56(V) | |
| 跨导: | 43(μS) | |
| 极间电容: | 8(pF) | |
| 低频噪声系数: | 91(dB) | |
| 漏极电流: | 20(mA) | |
| 耗散功率: | 11(mW) |
20N50:20A 500V
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