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代理台湾虹冠高压MOS管 GPT13N50 TO-220F

价 格: 2.40
漏极电流:-(mA)
材料:N-FET硅N沟道
种类:绝缘栅(MOSFET)
耗散功率:-(mW)
跨导:-(μS)
型号:GPT13N50
封装外形:P-DIT/塑料双列直插
开启电压:-(V)
品牌:虹冠
用途:SW-REG/开关电源
沟道类型:N沟道
夹断电压:-(V)
导电方式:增强型
低频噪声系数:-(dB)
极间电容:-(pF)

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杨秋城
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