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IRF1407 IRF1407PBF - IR场效应管 MOSFET N 75V 130A原装

价 格: 0.10
品牌:IR/国际整流器
型号:IRF1407 IRF1407PBF
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:MOS-TPBM/三相桥
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
材料:GE-N-FET锗N沟道
开启电压:75V(V)
夹断电压:45(V)
跨导:10(μS)
极间电容:5600(pF)
低频噪声系数:10(dB)
漏极电流:130(mA)
耗散功率:330W(mW)

INTERNATIONAL RECTIFIER - IRF1407PBF - 场效应管 MOSFET N TO-220 75V 130A

 

 

 

 

dzsc/18/8722/18872261.jpg

标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点漏极至源极电压(Vdss)电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° CId 时的 Vgs(th)()闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - 安装类型封装/外壳供应商设备封装包装其它名称
50
分离式半导体产品
FET - 单
HEXFET®
MOSFET N 通道,金属氧化物
标准型
75V
130A
7.8 毫欧 @ 78A, 10V
4V @ 250µA
250nC @ 10V
5600pF @ 25V
330W
通孔
TO-220-3
TO-220AB
管件
深圳科顺龙电子
*IRF1407PBF


dzsc/18/8722/18872261.jpg
晶体管极性:ñ频道

  • 电流, Id 连续:130A
  • 电压, Vds :75V
  • 在电阻RDS(上):7.8mohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
  • 功耗, Pd:330W
  • 封装类型:TO-220AB
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2011)
  • 功率, Pd:330W
  • 功耗:330W
  • 封装类型:TO-220AB
  • 漏极电流, Id 值:130A
  • 热阻, 结至外壳 A:0.45°C/W
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:75V
  • 电压, Vgs :4V
  • 电流, Idm 脉冲:520A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:7.8ohm
  • RoHS协从产品: 是
  • dzsc/18/8722/18872261.jpgRoHS协从证明

彭志毫
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 彭志毫
  • 电话:0755-82719303
  • 传真:-
  • 手机:
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(深圳科顺龙电子)产品详情: VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER - IRLR024PBF - 场效应管 MOSFET N沟道 D-PAKdzsc/18/8727/18872734.jpg

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