| 价 格: | 面议 | |
| 品牌/商标: | ST/意法 | |
| 型号/规格: | STP60NF06 | |
| 种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 导电方式: | 增强型 | |
| 用途: | HA/行输出级 | |
| 封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料: | N-FET硅N沟道 | |
| 低频噪声系数: | 1 | |
| 极间电容: | 1 | |
| 漏极电流: | 1 |
描述
IRL2505STR 制造商:International Rectifier晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:55 V 闸/源击穿电压:16 V 漏极连续电流:104 A 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:D2PAK 封装:Reel 栅极电荷 Qg:86.7 nC 功率耗散:200 W 工厂包装数量:800原装现货 深圳世纪超想热卖
IRF2807ZSPBF描述晶体管极性:ñ频道电流, Id 连续:89A电压, Vds :75V在电阻RDS(上??:9.4mohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:4V封装类型:D2-PAK针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)功率, Pd:170W功耗:170W封装类型:D2-PAK封装类型, 替代:D2-PAK晶体管类型:漏极电流, Id 值:75A热阻, 结至外壳 A:0.9°C/W电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds:75V电压, Vds 典型值:75V电压, Vgs :4V电流, Idm 脉冲:350A表面安装器件:表面安装通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:9.4mohm阈值电???, Vgs th :4V