价 格: | 0.92 | |
是否提供加工定制: | 否 | |
品牌/商标: | NEC/日本电气 | |
型号/规格: | NE3512S02 | |
应用范围: | 微波 | |
材料: | 硅(Si) | |
极性: | NPN型 | |
击穿电压VCBO: | 0(V) | |
集电极允许电流ICM: | 0(A) | |
集电极耗散功率PCM: | 0(W) | |
截止频率fT: | 0(MHz) | |
结构: | 点接触型 | |
封装形式: | 贴片型 | |
封装材料: | 金属封装 | |
类型: | 其他IC |
HETEROJUNCTIONFIELDEFFECTTRANSISTOR
锋泽电子:原件参数技术支持网页:http://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/149257/CEL/NE3512S02-T1D.html
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