价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | MagnaChip(美格纳半导体) | |
型号/规格: | MDF6N60TH | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
开启电压: | 5(V) | |
跨导: | 5000(μS) | |
极间电容: | 860(pF) | |
漏极电流: | 6000(mA) | |
耗散功率: | 37900(mW) |
• VDS = 600V
• ID = 6.0A @ VGS = 10V
• RDS(ON) ≤ 1.4Ω @ VGS = 10V
• 工作温度范围:-55 ~ 150°C
"
适用于:高频DC-DC直流转换器,电机控制等 封装形式:TO-247AC导通电阻:0.014Ω电压VDSS=100V
• VDS=950V • ID=4A• 导通电阻:R<3.5Ω• 总耗散功率:90W• 工作温度范围:-55 ~ 150°C "