价 格: | 1.35 | |
品牌/商标: | NXP/恩智浦 | |
型号/规格: | BT137-600E | |
控制方式: | 单向 | |
极数: | 二极 | |
封装材料: | 塑料封装 | |
封装外形: | TO220 | |
关断速度: | 高频(快速) | |
散热功能: | 带散热片 | |
频率特性: | 超高频 | |
功率特性: | 大功率 | |
额定正向平均电流: | 详见规格书(A) | |
控制极触发电流: | 详见规格书(mA) | |
稳定工作电流: | 详见规格书(A) | |
反向重复峰值电压: | 详见规格书(V) |
热销NXP原装进口可控硅BT137-600E,可开具17%增票,承诺:假一赔百
产品型号: | BT137-600E | 产品名称: | ||||
品牌/产地: | NXP | 封装规格: | ||||
产品描述: | Triacs sensitive gate | |||||
是否含铅: | 未知 | |||||
PDF分类: | IC器件 > 开关及驱动器件 > 可控硅 | |||||
产品参数信息: |
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数据手册: |
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Part: IRFL024NTRPBFDescription: 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 packageSupport Docs: Datasheet Reliability ReportCross ReferenceIR Part #RecommendedIR Part #DescriptionPartStatusReplacementTypeIRFL024NTRPBFIRFL024ZPBFMOSFET, 55V, 5.1A, 57.5 mOhm, 9.1 nC Qg, SOT-223ActivePOSSIBLESpecificationsParameterValuePackage SOT-223Circuit DiscreteVBRDSS (V) 55VGs Max (V) 20RDS(on) Max 10V (mOhms) 75.0ID @ TC = 25C (A) 4.0ID @ TA = 25C (A) 4.0ID @ TA = 70C (A) 2.3Qg Typ (nC) 12.2Qgd Typ (nC) 5.1Rth(JC) (C/W) 60 (JA)Power Dissipation @ TA = 25C (W) 2.10Part Status ActiveEnvironmental Options Available PbF and LeadedPackage Class Can Surface Mount with Leads
FTU02N60BG是一款1.9A 600V RDS(ON)(Max.)=5.5Ω的N-Channel MOSFET,由东森微电子自主设计开发,进口晶圆,可完全替代进口品牌,量产多年!诚招各地分销!产品型号击穿电压(V)额定电流(A)导通电阻值(Ohm)封装产品资料FTU02N60B6001.95.5TO-251dzsc/18/8727/18872784.jpgFTD02N60B6001.95.5TO-252dzsc/18/8727/18872784.jpgFTP02N606002.24.4TO-220dzsc/18/8727/18872784.jpgFTA02N606002.24.4TO-220Fdzsc/18/8727/18872784.jpgFTP04N60B6003.62.8TO-220dzsc/18/8727/18872784.jpgFTA04N60B6003.62.8TO-220Fdzsc/18/8727/18872784.jpgFTU04N60B6003.62.8TO-251dzsc/18/8727/18872784.jpgFTD04N60B6003.62.8TO-252dzsc/18/8727/18872784.jpgFTP04N60A6004.52.0TO-220dzsc/18/8727/18872784.jpgFTA04N60A6004.52.0TO-220Fdzsc/18/8727/18872784.jpgFTU04N60A6004.52.0TO-251dzsc/18/8727/18872784.jpgFTD04N60A6004.52.0TO-252dzsc/18/8727/18872784.jpg品质保障 > 可靠性评估"