C106M单向可控硅
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | 国产 | |
| 型号/规格： | C106M | |
| 控制方式： | 单向 | |
| 极数： | 三极 | |
| 封装材料： | 树脂封装 | |
| 关断速度： | 高频(快速) | |
| 散热功能： | 不带散热片 | |
| 频率特性： | 中频 | |
| 功率特性： | 中功率 | |
| 额定正向平均电流： | 4（A） | |
| 控制极触发电流： | 0.2（mA） | |
| 稳定工作电流： | 4（A） | |
| 反向重复峰值电压： | 600（V） |
| 控制方式 | 单向 | 极数 | 三极 |
| 封装材料 | 树脂封装 | 封装外形 | TO-225A/TO-126 |
| 关断速度 | 高频(快速) | 散热功能 | 不带散热片 |
| 频率特性 | 中频 | 功率特性 | 中功率 |
| 额定正向平均电流 | 4（A） | 控制极触发电流 | 0.2（mA） |
| 稳定工作电流 | 4（A） | 反向重复峰值电压 | 600（V） |
深圳市佳冠捷科技有限公司
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信息内容：控制方式双向极数三极封装材料金属封装封装外形平板形关断速度普通散热功能带散热片频率特性中频功率特性中功率 产品类别：50A 单向可控硅-SCRs?工业型号：BTW69-1200 （意法ST型号）?封装外形：TOP3 （ 塑封 ）?管脚排列：K-A-G (K-Cathode；A-Anode；G-Gate)?电流/IT(RMS)：≥50 A （ ITSM: ≤610 A ）?电压/VDRM：≥1200V?触发电流/IGT：8～80 mA （毫安）?触发电压/VGT： ≤1.3 V?门极散耗功率：1 W (Average gate power dissipation)?工作温度/Tj：-40~+125°C (储存温度: -40~+150℃)
2P4M单向可控硅
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