价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | FAIRCHILD/仙童 | |
型号/规格: | FDG6303N | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
材料: | GE-N-FET锗N沟道 |
晶体管极性:ñ频道电流, Id 连续:1.2A电压, Vds :20V在电阻RDS(上):250mohm电压 @ Rds测量:4.5V阈值电压, Vgs th 典型值:700mV功耗, Pd:540mW封装类型:SOT-23针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011)SMD标号:1A功率, Pd:540mW功耗:540mW外宽:3.05mm外部深度:2.5mm外部长度/高度:1.12mm封装类型:SOT-23带子宽度:8mm晶体管数:1每卷数量:3000温度 @ 电流测量:25°C满功率温度:25°C漏极电流, Id 值:1.2A电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V电压, Vds 典型值:20V电压, Vgs :700mV电流, Idm 脉冲:7.4A结温, Tj :-55°C表面安装器件:表面安装阈值电压, Vgs th :700mV
晶体管极性:ñ频道电流, Id 连续:30A电压, Vds :200V在电阻RDS(上):75mohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:4V功耗, Pd:214W封装类型:TO-247AC针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2011)功率, Pd:214W功耗:214W封装类型:TO-247AC漏极电流, Id 值:30A热阻, 结至外壳 A:0.83°C/W电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:200V电压, Vgs :4V电流, Idm 脉冲:120A表面安装器件:通孔安装阈值电压, Vgs th :4V"