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FAIRCHILD FDG6303N - 场效应管 MOSFET

价 格: 面议
品牌/商标:FAIRCHILD/仙童
型号/规格:FDG6303N
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:SW-REG/开关电源
封装外形:SMD(SO)/表面封装
材料:GE-N-FET锗N沟道

  • 晶体管极性:ñ频道
  • 电流, Id 连续:500mA
  • 电压, Vds :25V
  • 在电阻RDS(上):340mohm
  • 电压 @ Rds测量:4.5V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:800mV
  • 功耗, Pd:300mW
  • 封装类型:SC-70
  • 针脚数:6
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2011)
  • 功耗:300mW
  • 封装类型:SC-70
  • 漏极电流, Id 值:500mA
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V
  • 电压, Vds 典型值:25V
  • 电压, Vgs :800mV
  • 表面安装器件:表面安装

深圳市佰昇电子有限公司
公司信息未核实
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供应原装IR 场效应管 MOSFET N IRLML2402TRPBF

信息内容:

晶体管极性:ñ频道电流, Id 连续:1.2A电压, Vds :20V在电阻RDS(上):250mohm电压 @ Rds测量:4.5V阈值电压, Vgs th 典型值:700mV功耗, Pd:540mW封装类型:SOT-23针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011)SMD标号:1A功率, Pd:540mW功耗:540mW外宽:3.05mm外部深度:2.5mm外部长度/高度:1.12mm封装类型:SOT-23带子宽度:8mm晶体管数:1每卷数量:3000温度 @ 电流测量:25°C满功率温度:25°C漏极电流, Id 值:1.2A电压 Vgs @ Rds on 测量:4.5V电压, Vds 典型值:20V电压, Vgs :700mV电流, Idm 脉冲:7.4A结温, Tj :-55°C表面安装器件:表面安装阈值电压, Vgs th :700mV

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供应IR IRFP250NPBF 场效应管 MOSFET N TO-247AC 200V 30A

信息内容:

晶体管极性:ñ频道电流, Id 连续:30A电压, Vds :200V在电阻RDS(上):75mohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:4V功耗, Pd:214W封装类型:TO-247AC针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2011)功率, Pd:214W功耗:214W封装类型:TO-247AC漏极电流, Id 值:30A热阻, 结至外壳 A:0.83°C/W电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:200V电压, Vgs :4V电流, Idm 脉冲:120A表面安装器件:通孔安装阈值电压, Vgs th :4V"

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