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供应 美格拉(纳)MOS管——MDP11N60TH 原装

价 格: 面议
品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体)
型号/规格:MDP11N60TH
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:SW-REG/开关电源
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
材料:MES金属半导体
开启电压:5(V)
跨导:13000(μS)
极间电容:1700(pF)
漏极电流:11000(mA)
耗散功率:182000(mW)

•封装形式:TO-220

• 工作温度范围:-55 ~ 150°C

•耗散功率:182W

•VDS= 600V

•ID=11A @ VGS = 10V

•RDS(ON0≤ 0.55D @ VGS = 10V

上海贝臣电子有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:上海 上海市
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 何军
  • 电话:021-39121306/39121309
  • 传真:021-39121309
  • 手机:15216657665/18964602998
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信息内容:

•封装形式:TO-220AB•导通电阻:RDS(ON)=95mΩ•栅极电荷量:QGD=4.1nC• 反向恢复时间:Trr=96nS•漏极电流:ID=17A @ TA=25°C•漏源电压:VDSS=150V•工作温度范围:-55 ~ 175°C

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信息内容:

• VDS=650V • ID=11A• 导通电阻:R<0.36Ω• 总耗散功率:90W• 工作温度范围:-55 ~ 150°C

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