价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | MagnaChip(美格纳半导体) | |
型号/规格: | MDP11N60TH | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | MES金属半导体 | |
开启电压: | 5(V) | |
跨导: | 13000(μS) | |
极间电容: | 1700(pF) | |
漏极电流: | 11000(mA) | |
耗散功率: | 182000(mW) |
•封装形式:TO-220
• 工作温度范围:-55 ~ 150°C
•耗散功率:182W
•VDS= 600V
•ID=11A @ VGS = 10V
•RDS(ON0≤ 0.55D @ VGS = 10V
•封装形式:TO-220AB•导通电阻:RDS(ON)=95mΩ•栅极电荷量:QGD=4.1nC• 反向恢复时间:Trr=96nS•漏极电流:ID=17A @ TA=25°C•漏源电压:VDSS=150V•工作温度范围:-55 ~ 175°C
• VDS=650V • ID=11A• 导通电阻:R<0.36Ω• 总耗散功率:90W• 工作温度范围:-55 ~ 150°C