供应Mosfet20N50
| 价 格： | 7.00 | |
| 品牌： | wisdom | |
| 型号： | 20N50 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | SW-REG/开关电源 | |
| 封装外形： | P-DIT/塑料双列直插 | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 开启电压： | 0.1（V） | |
| 夹断电压： | 0.1（V） | |
| 低频跨导： | 0.1（μS） | |
| 极间电容： | 0.1（pF） | |
| 低频噪声系数： | 0.1（dB） | |
| 漏极电流： | 0.1（mA） | |
| 耗散功率： | 0.1（mW） |
韩国产品.质量保证
现货长期供应全新场效应管场效应20N50,质量保证.随时有货.有实力的公司可以月结.欢迎来电
20N50 N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。
∗ 20A，500V，RDS(on)=0.26Ω@VGS=10V
∗ 低栅极电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
dzsc/18/8708/18870810.jpg
WFW20N50 N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。
∗ 20A，500V，RDS(on)=2.6Ω@VGS=10V
∗ 低栅极电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 蒋德平
- 电话：0755-89516539
- 传真：0755-89516539
- 手机：
- QQ ：
供应场效应管WFF12N65 TO-220F
信息内容：韩国进口产品现货、质量稳定、价格合理现货供应WFF12N65(TO-220F)质量保证.货源稳定.有实力的公司可以月结.欢迎来电现货长期供应全新场效应管WFF12N65 TO-220F 质量保证.货源充足,有实力的公司可以支持月结,欢迎来电WFF12N65 TO-220F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。∗ 12A，650V，RDS(on)=0.8Ω@VGS=10V∗ 低栅极电荷量∗ 低反向传输电容∗ 开关速度快∗ 提升了dv/dt 能力其它规格：1N60 2N60 4N60 5N60 7N60 8N60 10N60 12N60 830 840 730 740 640 630dzsc/18/8708/18870834.jpg"
供应场效应管WFF830 TO-220F
信息内容：韩国进口产品现货、质量稳定、价格合理现货供应WFF830 (TO-220F)质量保证.货源稳定.有实力的公司可以月结.欢迎来电现货长期供应全新场效应管WFF830 TO-220F 质量保证.货源充足,有实力的公司可以支持月结,欢迎来电WFF830 TO-220F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。∗ 5A，400V，RDS(on)=1.4Ω@VGS=10V∗ 低栅极电荷量∗ 低反向传输电容∗ 开关速度快∗ 提升了dv/dt 能力其它规格：1N60 2N60 4N60 5N60 7N60 8N60 10N60 12N60 830 840 730 740 640 630dzsc/18/8708/18870835.jpg"
