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场效应管 IRFR210BTM / IRFR210BTM_FP001 / IRFR210AMTF

价 格: 面议
品牌/商标:FAIRCHILD/仙童
型号/规格:IRFR210BTM 200V 2.7A
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:S/开关
封装外形:SMD(SO)/表面封装
材料:N-FET硅N沟道
开启电压:4(V)
极间电容:225(pF)
漏极电流:2,700(mA)
耗散功率:2,500(mW)

IRFR210BTM中文资料:

 

制造商

Fairchild Semiconductor

制造商零件编号

IRFR210BTM_FP001

描述

MOSFET N-CH 200V 2.7A DPAK

类别

分离式半导体产品

家庭

FET -单路

系列

-

FET

MOSFET N通道,金属氧化物

FET特点

标准型

开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C

1.5欧姆 @ 1.35A, 10V

漏极至源极电压(Vdss)

200V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C

2.7A

Id时的 Vgs(th)()

4V @ 250µA 

闸电荷(Qg) @ Vgs

9.3nC @ 10V

在 Vds 时的输入电容(Ciss)

225pF @ 25V

功率 -

2.5W

安装类型

表面贴装 

封装/外壳

TO-252-3, DPak (2引线+接片), SC-63

供应商设备封装

D-Pak

包装

带卷 (TR)


公司照片:
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备注:

1、如果您对该产品的价格、厂家、型号、图片有什么疑问,请联系我们获取该产品的信息。

2、产品繁多,未能一一上传,欢迎与我们联系咨询。

 

 

IRFR210BTM订购及咨询:

深圳市丰尔电子有限公司

电话:0755-83687516(7线)

商务QQ:120279071

MSN: jason-yufo@hotmail.com

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手机: 13590258862 / 13531791171

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深圳市福田区丰尔电子商行
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
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信息内容:

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MOS管 场效应管 FDD6635 / DD6635 / D6635 / 6635

信息内容:

FDD6635中文资料: 制造商Fairchild Semiconductor制造商零件编号FDD6635描述MOSFET N-CH 35V 15A DPAK类别分离式半导体产品家庭FET -单路系列PowerTrench®FET型MOSFET N通道,金属氧化物FET特点逻辑电平门开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C10毫欧 @ 15A, 10V漏极至源极电压(Vdss)35V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C15AId时的 Vgs(th)()3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs36nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)1400pF @ 20V功率 - 1.6W安装类型表面贴装 封装/外壳TO-252-3, DPak (2引线+接片), SC-63供应商设备封装TO-252包装带卷 (TR)公司照片:dzsc/18/8708/18870809.jpgdzsc/18/8708/18870809.jpgdzsc/18/8708/18870809.jpgdzsc/18/8708/18870809.jpg备注:1、如果您对该产品的价格、厂家、型号、图片有什么疑问,请联系我们获取该产品的信息。2、产品繁多,未能一一上传,欢迎与我们联系咨询。 FDD6635订购及咨询:深圳市丰尔电子有限公司电话:0755-83687516(7线)商务QQ:120279071MSN: jason-yufo@hotmail.comE-mail:yufo_ic@163.com手机: 13590258862 / 13531791171更多详情请登录我们的网站:http://www.yufo-ic.cn/"

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