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场效应管 FQD13N06 / FQD13N06LTM / FQD13N06L / 13N06

价 格: 面议
品牌/商标:FAIRCHILD/仙童
型号/规格:FQD13N06
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:S/开关
封装外形:SMD(SO)/表面封装
材料:N-FET硅N沟道
开启电压:2.5(V)
极间电容:350(pF)
漏极电流:11,000(mA)
耗散功率:2,500(mW)

FQD13N06中文资料:

 

制造商

Fairchild Semiconductor

制造商零件编号

FQD13N06LTM

描述

MOSFET N-CH 60V 11A DPAK

类别

分离式半导体产品

家庭

FET -单路

系列

QFET™

FET

MOSFET N通道,金属氧化物

FET特点

逻辑电平门

开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C

115毫欧 @ 5.5A, 10V

漏极至源极电压(Vdss)

60V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C

11A

Id时的 Vgs(th)()

2.5V @ 250µA

闸电荷(Qg) @ Vgs

6.4nC @ 5V

在 Vds 时的输入电容(Ciss)

350pF @ 25V

功率 -

2.5W

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-252-3, DPak (2引线+接片), SC-63

供应商设备封装

D-Pak

包装

带卷 (TR)


公司照片:

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备注:

 

1、如果您对该产品的价格、厂家、型号、图片有什么疑问,请联系我们获取该产品的信息。

 

2、产品繁多,未能一一上传,欢迎与我们联系咨询。

 

 

 

 

 

FQD13N06订购及咨询:

 

深圳市丰尔电子有限公司

 

电话:0755-83687516(7线)

 

商务QQ:120279071

 

MSN: jason-yufo@hotmail.com

 

E-mail:yufo_ic@163.com

 

手机: 13590258862 / 13531791171

 

更多详情请登录我们的网站:http://www.yufo-ic.cn/

 

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  • 联系人: 杨金海
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信息内容:

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场效应管 HUF75307D3ST / HUF75307D3 / HUF75307

信息内容:

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