价 格: | 1.20 | |
封装外形: | CHIP/小型片状 | |
型号/规格: | 8N60 | |
材料: | GaAS-FET砷化镓 | |
用途: | L/功率放大 | |
品牌/商标: | TOSHIBA/东芝 | |
沟道类型: | N沟道 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
导电方式: | 增强型 | |
属性: | 属性值 |
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