价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | MagnaChip(美格纳半导体) | |
型号/规格: | MDD2603RH | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | DC/直流 | |
封装外形: | CHIP/小型片状 | |
开启电压: | 2.7(V) | |
跨导: | 30000(μS) | |
极间电容: | 1760(pF) | |
漏极电流: | 57000(mA) | |
耗散功率: | 39000(mW) |
Single N-channel Trench MOSFET 30V, 57.0A, 6.6mΩ
Features
• VDS = 30V
• ID = 57.0A @VGS = 10V
• RDS(ON)
< 6.6mΩ @VGS = 10V
< 9.0mΩ @VGS = 4.5V
•封装形式:TO-252
•结温范围:-55 ~ 175°C
• 600V N-Channel MOSFETFeatures•工作温度范围:-55to+150°C•功率损耗:156W•开态电阻RDS(on):0.6Ω•开启延迟时间:23ns•关断延迟时间:144ns•封装类型:TO-220•针脚数:3 "
•封装形式:TO-220F•导通电阻:RDS(on) = 0.85Ω @VGS = 10 V•工作温度范围:-55 ~ 150°C•开启延迟时间:18ns•关断延迟时间:93ns•反向恢复时间:100ns