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供应 美格拉(纳)原装MOS 管—MDD2603RH

价 格: 面议
品牌/商标:MagnaChip(美格纳半导体)
型号/规格:MDD2603RH
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:DC/直流
封装外形:CHIP/小型片状
开启电压:2.7(V)
跨导:30000(μS)
极间电容:1760(pF)
漏极电流:57000(mA)
耗散功率:39000(mW)

 Single N-channel Trench MOSFET 30V, 57.0A, 6.6mΩ

Features
• VDS = 30V
• ID = 57.0A @VGS = 10V
• RDS(ON)
< 6.6mΩ @VGS = 10V
< 9.0mΩ @VGS = 4.5V

•封装形式:TO-252

•结温范围:-55 ~ 175°C

 

上海贝臣电子有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:上海 上海市
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 何军
  • 电话:021-39121306/39121309
  • 传真:021-39121309
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信息内容:

• 600V N-Channel MOSFETFeatures•工作温度范围:-55to+150°C•功率损耗:156W•开态电阻RDS(on):0.6Ω•开启延迟时间:23ns•关断延迟时间:144ns•封装类型:TO-220•针脚数:3 "

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供应仙童原装MOS——FQPF9N50C

信息内容:

•封装形式:TO-220F•导通电阻:RDS(on) = 0.85Ω @VGS = 10 V•工作温度范围:-55 ~ 150°C•开启延迟时间:18ns•关断延迟时间:93ns•反向恢复时间:100ns

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