场效应管 ISL9N308AD3 ISL9N308 N308AD
| 价 格： | 面议 | |
| 漏极电流： | 50A | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 型号/规格： | ISL9N308AD3,MOS,30V,50A,0.008Ω,251 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 夹断电压： | 20 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 极间电容： | 2600 |
产品型号:ISL9N308AD3
封装:TO-251/IPAK
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
漏极电流Id(A):50
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.008 @VGS =10 V
开启电压VGS(TH)(V):3
功率PD(W):100
极间电容Ciss(PF):2600
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s)：
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
温度(℃): -55 ~175
描述:30V,50A N-Channel 功率MOSFET
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场效应管 IPD20N06 IPD20N06L 20N06L
信息内容：dzsc/18/8705/18870536.jpgIPD20N06L,MOS,60V,20A,0Ω,252.)"
场效应管 ISL9N306AS3ST N306AS ISL9N306
信息内容：产品型号:ISL9N306AS3ST封装:SOT-263/D2PAK源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30夹断电压VGS(V):±20漏极电流Id(A):75源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.006 @VGS =10 V开启电压VGS(TH)(V):3功率PD(W):125极间电容Ciss(PF):3400通道极性:N沟道低频跨导gFS(s)：单脉冲雪崩能量EAS(mJ):温度(℃): -55 ~175描述:30V,75A N-Channel 功率MOSFET如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\\查询\\下载.)"
