ON小信号N沟道场效应管 2N7002LT1G 测试整理
| 价 格： | 0.08 | |
| 品牌/商标： | 0N/安森美 | |
| 型号/规格： | 2N7002LT1G | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 封装外形： | CHIP/小型片状 |
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2N7002LT1G的技术参数
产品型号:2N7002LT1G
源漏极间雪崩电压VBR(V):60
源漏极导通电阻rDS(on)(mΩ):7500
漏极电流Id(on)(A):0.120
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SOT-23/-55~150
描述:小信号N沟道SOT23封装场效应管
产品广泛应用于：
的便携式电器、DVD、MP4、音响、电视、遥控、机顶盒、数码播放机、数字视听、平板显示、液晶、电源、网络、手机、汽车、照明、节能灯、消费类电子、以及工业等终端产品
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- 所属城市：广东 汕头
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