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供应 IR 原装MOS——IRF1405PBF

价 格: 面议
品牌/商标:IR/国际整流器
型号/规格:IRF1405PBF
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:增强型
用途:TR/激励、驱动
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
材料:N-FET硅N沟道
开启电压:4(V)
跨导:69000(μS)
极间电容:5480(pF)
漏极电流:169000(mA)
耗散功率:330000(mW)

AUTOMOTIVE MOSFET

适用于:电动助力转向系统,防抱死制动系统,控制器等

无铅封装

封装形式:TO-220AB

工作温度范围:-55 ~ 175°C

VDSS = 55V

RDS(on) = 5.3mΩ

ID = 169A

功率耗散:330W

开启延迟时间:13ns

关断延迟时间:130ns

 

上海贝臣电子有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:上海 上海市
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N-Channel MOSFET 600V, 22A, 0.165W• RDS(on) = 0.140W ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 11A• BVDSS>650V @ TJ = 150oC

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•封装形式:TO-252•导通电阻:RDS(ON)=180mΩ•栅极电荷量:QGD=14nC• 反向恢复时间:Trr=110nS•漏极电流:ID=14A @ TC=25°C•漏源电压:VDSS=150V•工作温度范围:-55 ~ 175°C

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