价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | IRF1405PBF | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | TR/激励、驱动 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 4(V) | |
跨导: | 69000(μS) | |
极间电容: | 5480(pF) | |
漏极电流: | 169000(mA) | |
耗散功率: | 330000(mW) |
AUTOMOTIVE MOSFET
适用于:电动助力转向系统,防抱死制动系统,控制器等
无铅封装
封装形式:TO-220AB
工作温度范围:-55 ~ 175°C
VDSS = 55V
RDS(on) = 5.3mΩ
ID = 169A
功率耗散:330W
开启延迟时间:13ns
关断延迟时间:130ns
N-Channel MOSFET 600V, 22A, 0.165W• RDS(on) = 0.140W ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 11A• BVDSS>650V @ TJ = 150oC
•封装形式:TO-252•导通电阻:RDS(ON)=180mΩ•栅极电荷量:QGD=14nC• 反向恢复时间:Trr=110nS•漏极电流:ID=14A @ TC=25°C•漏源电压:VDSS=150V•工作温度范围:-55 ~ 175°C