价 格: | 0.10 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | IRF3415PbF | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | MW/微波 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | GE-N-FET锗N沟道 | |
开启电压: | 150(V) | |
极间电容: | 2400(pF) | |
漏极电流: | 22(mA) | |
耗散功率: | 200(mW) |
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数据列表 IRF3415PbF
产品相片 TO-220AB PKG
产品目录绘图 IR Hexfet TO-220AB
标准包装 50
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单路
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准型
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 42 毫欧 @ 22A, 10V
漏极至源极电压(Vdss) 150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 43A
Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 200nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 2400pF @ 25V
功率 - 200W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220AB
包装 管件
(深圳科顺龙电子)产品详情: INTERNATIONAL RECTIFIER - IRL530NPBF - 场效应管 MOSFET N 逻辑电平 TO-220dzsc/18/8705/18870530.jpg产品信息
dzsc/18/8705/18870540.jpgdzsc/18/8705/18870540.jpg数据列表 IRFZ44NPbF 产品相片 TO-220AB PKG 标准包装 50类别 分离式半导体产品 家庭 FET - 单 系列 HEXFET®FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 55V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 49A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 17.5 毫欧 @ 25A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 63nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 1470pF @ 25V 功率 - 94W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 其它名称 *IRFZ44NPBF 科顺龙电子商行主要经销的产品有:邦士精密电位器,场效应管,电源控制IC,IGBT,MCU单片机,LCD驱动IC等等。代理分销优势品牌热卖:BOURNS(邦士精密电位器)IR(国际整流器)FREESCALE MICROCHIP(微芯代理全系列货源) 热卖场效应管系列:IRF540N,IRF630N,IRF640N,IRF730,IRF740,IRF830,IRF840,IRF9530N,IRF9540N,IRF9630,IRF9640,IRF9Z24N,IRF9Z34N,IRFZ24N,IRFZ34N,IRFZ44N,IRFZ48N,IRFP150N,IRFP250N,IRFP260N,IRFP264,IRFP450,IRFP460,IRFP460A,IRFBE30,MBR20100CTK,8ETH06,15ETH06,IRFP150,IRFP350,...