批发供应场效应管ST2302
| 价 格： | 0.20 | |
| 品牌： | ST/意法 | |
| 型号： | ST2302 | |
| 种类： | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | MIN/微型 | |
| 封装外形： | SMD(SO)/表面封装 | |
| 材料： | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 开启电压： | 20（V） | |
| 夹断电压： | 12（V） | |
| 跨导： | -（μS） | |
| 极间电容： | ,（pF） | |
| 低频噪声系数： | ,（dB） | |
| 漏极电流： | ,（mA） | |
| 耗散功率： | ,（mW） |
N Channel Enchancement Mode MOSFET ST2302
3.6A
DESCRIPTION
The ST2302 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor are
produced using high cell density, DMOS trench technology.
This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance.
These devices are particularly suited for low voltage application such as cellular phone and
notebook computer power management and other batter powered circuits, and low in-line
power loss are needed in a very small outine surface mount package.
FEATURE
z 20V/3.6A, RDS(ON) = 80m-ohm
@VGS = 4.5V
z 20V/2.4A, RDS(ON) = 95m-ohm
@VGS = 2.5V
z Super high density cell design for
extremely low RDS(ON)
z Exceptional on-resistance and maximum
DC current capability
z SOT-23-3L package design
- 所属城市：广东 深圳
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