价 格: | 0.80 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | IRFU024N | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | SW-REG/开关电源 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | GE-N-FET锗N沟道 |
IRF(R,U)024NPbF |
DPAK_369D−01 |
75 |
分离式半导体产品 |
FET - 单 |
HEXFET® |
MOSFET N 通道,金属氧化物 |
标准型 |
55V |
17A |
75 毫欧 @ 10A, 10V |
4V @ 250µA |
20nC @ 10V |
370pF @ 25V |
45W |
通孔 |
TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB |
I-Pak |
管件 |
*IRFU024NPBF |
经营 二三极管 场效应管 可控硅 整流桥 CYT电源管理 经营品牌 保征质量
dzsc/18/8701/18870169.jpg
dzsc/18/8701/18870169.jpg
数据列表IXG(A,P)8N100产品相片TO-252标准包装50类别分离式半导体产品家庭IGBT - 单路系列-IGBT 类型PT电压 - 集电极发射极击穿()1000VVge, Ic时的Vce(开)2.7V @ 15V, 8A电流 - 集电极 (Ic)()16A功率 - 54W输入类型标准型安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB供应商设备封装TO-263包装管件 dzsc/18/8702/18870219.jpg"
格表数量时,您的订单上显示的单价可能会更低。 您可以针对比价格表中显示数量更大的数量提交一个报价请求。数据列表IRF3710PbF产品相片TO-220-3, TO-220AB产品目录绘图IR Hexfet TO-220AB标准包装50类别分离式半导体产品家庭FET - 单系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C57A开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C23 毫欧 @ 28A, 10VId 时的 Vgs(th)()4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs130nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds3130pF @ 25V功率 - 200W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3供应商设备封装TO-220AB包装管件产品目录页面1518 (CN2011-ZH PDF)其它名称*IRF3710PBFdzsc/18/8702/18870250.jpgdzsc/18/8702/18870250.jpg经营 二三极管 场效应管 可控硅 整流桥 CYT电源管理 经营品牌 保征质量"