价 格: | 0.10 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | IRLML6401TRPBF | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 30(V) | |
夹断电压: | 10(V) | |
极间电容: | 1(pF) | |
低频噪声系数: | 20(dB) | |
漏极电流: | 10(mA) | |
耗散功率: | 20(mW) |
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12V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package; Similar to IRLML6401 with Tape and Reel and Lead Free Packaging
dzsc/18/8730/18873017.jpgdzsc/18/8730/18873017.jpg特价现货供应 可控硅MCR100-6MCR100-6系列单向可控硅产品特点:• PNPN四层结构的硅器件;•采用双面台面玻璃钝化工艺,保证了高电压的可靠性;•背面多层金属电极,提高了产品电流冲击的耐受力;•门极灵敏触发;•TO-92型塑料封装。主要参数:电压≥ 600V通态均方根电流0.8A 通态压降≤1.7V"