价 格: | 0.01 | |
品牌/商标: | IR/国际整流器 | |
型号/规格: | IRF3205PBF IRF3205 | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | DC/直流 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | GE-N-FET锗N沟道 | |
开启电压: | 62(V) | |
夹断电压: | 55(V) | |
极间电容: | 3247(pF) | |
耗散功率: | 200(mW) |
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IRF3205 |
TO-220AB PKG |
IR Hexfet TO-220AB |
50 |
分离式半导体产品 |
FET - 单路 |
HEXFET® |
MOSFET N 通道,金属氧化物 |
标准型 |
8 毫欧 @ 62A, 10V |
55V |
110A |
4V @ 250µA |
146nC @ 10V |
3247pF @ 25V |
200W |
通孔 |
TO-220-3 |
管件 |
TO-220AB |
1472 (CN2010-11 Interactive) 1472 (CN2010-11 PDF) |
*IRF3205PBF |
dzsc/18/8701/18870195.jpgdzsc/18/8701/18870195.jpgdzsc/18/8701/18870195.jpg 数据列表 IRF740PBF 产品相片 TO-220AB 标准包装 1,000类别 分离式半导体产品 家庭 FET - 单 系列 -FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点 标准型 漏极至源极电压(Vdss) 400V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 10A 开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 550 毫欧 @ 6A, 10V Id 时的 Vgs(th)() 4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs 63nC @ 10V 在 Vds 时的输入电容(Ciss) 1400pF @ 25V 功率 - 125W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 供应商设备封装 TO-220AB 包装 管件 其它名称 *IRF740PBF 科顺龙电子商行主要经销的产品有:邦士精密电位器,场效应管,电源控制IC,IGBT,MCU单片机,LCD驱动IC等等。代理分销优势品牌热卖:BOURNS(邦士精密电位器)IR(国际整流器)FREESCALE MICROCHIP(微芯代理全系列货源) 热卖场效应管系列:IRF540N,IRF630N,IRF640N,IRF730,IRF740,IRF830,IRF840,IRF9530N,IRF9540N,IRF9630,IRF9640,IRF9Z24N,IRF9Z34N,IRFZ24N,IRFZ34N,IRFZ44N,IRFZ48N,IRFP150N,IRFP250N,IRFP260N,IRFP264,IRFP450,IRFP460,IRFP460A,IRFBE30,MBR20100CTK,8ETH06,15ETH06,IRFP...
dzsc/18/8703/18870306.jpg 数据列表IRFB4710PbF, IRFS(L)4710PbF产品相片TO-220AB PKG产品目录绘图IR Hexfet TO-220AB标准包装50类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C14 毫欧 @ 45A, 10V漏极至源极电压(Vdss)100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C75AId 时的 Vgs(th)()5.5V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs170nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)6160pF @ 25V功率 - 3.8W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3包装管件供应商设备封装TO-220AB产品目录页面深圳科顺龙电子其它名称*IRFB4710PBF标准包装50类别分离式半导体产品家庭FET - 单系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C75A开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C14 毫欧 @ 45A, 10VId 时的 Vgs(th)()5.5V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs170nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)6160pF @ 25V功率 - 3.8W安装类型通孔封装/外壳TO-220-3供应商设备封装TO-220AB包装管件深圳科顺龙电子其它名称*IRFB4710PBF