价 格: | 0.10 | |
品牌: | APT美国先进功率 | |
型号: | APT30GN60BG | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 增强型 | |
用途: | TR/激励、驱动 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
材料: | IGBT绝缘栅比极 | |
开启电压: | .(V) | |
夹断电压: | .(V) | |
跨导: | .(μS) | |
极间电容: | .(pF) | |
低频噪声系数: | .(dB) | |
漏极电流: | .(mA) | |
耗散功率: | .(mW) |
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