价 格: | 2.00 | |
品牌: | FAIRCHILD/仙童 | |
型号: | FQD13N10L | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
用途: | DUAL/配对管 | |
封装外形: | SMD(SO)/表面封装 | |
材料: | N-FET硅N沟道 | |
开启电压: | 100(V) | |
夹断电压: | 100(V) | |
跨导: | 1(μS) | |
极间电容: | 400(pF) | |
低频噪声系数: | 1(dB) | |
漏极电流: | 10(mA) | |
耗散功率: | 10000(mW) |
【名称】 | 贴片场效应管 | 【品牌】 | Fairchild/仙童飞兆 |
【型号】 | FQD13N10L | 【环保】 | 无铅环保 |
【封装】 | TO-252 | 【极性】 | N-沟道 |
【电压】 | 100V | 【功率】 | 40W |
【电流】 | 10A | 【内阻】 | 0.18Ω |
【配对】 | - | 【描述】 | 原装 |
【名称】功率场效应管【品牌】IR【型号】IRFP250N【环保】无铅环保【封装】TO-247AC【极性】N-沟道【电压】200V【功率】180W【电流】33A【内阻】0.085Ω【配对】-【描述】原装"
【名称】场效应管【品牌】SHINDENGEN【型号】2SK1194【环保】0008 【封装】TO-252【极性】N-沟道【电压】230V【功率】6W【电流】0.5A【内阻】5.5Ω【配对】-【描述】原装贴片场效应 2SK1194 厂家SHINDENGEN 封装TO-252 生产时间:00-08-28 图片仅供参考,实物是编带原盘装