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供应场效应管IRF644S

价 格: 1.50
品牌:IDI美国国际器件
型号:IRF644S
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:耗尽型
用途:MOS-HBM/半桥组件
封装外形:CER-DIP/陶瓷直插
材料:GE-N-FET锗N沟道
开启电压:900(V)
夹断电压:900(V)
跨导:23(μS)
极间电容:560(pF)
低频噪声系数:24(dB)
漏极电流:500(mA)
耗散功率:600(mW)

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蔡楚杰
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