价 格: | 1.50 | |
品牌: | IDI美国国际器件 | |
型号: | IRF644S | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
用途: | MOS-HBM/半桥组件 | |
封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
材料: | GE-N-FET锗N沟道 | |
开启电压: | 900(V) | |
夹断电压: | 900(V) | |
跨导: | 23(μS) | |
极间电容: | 560(pF) | |
低频噪声系数: | 24(dB) | |
漏极电流: | 500(mA) | |
耗散功率: | 600(mW) |
供应场效应管IRF644S供应场效应管IRF644S供应场效应管IRF644S供应场效应管IRF644S供应场效应管IRF644S供应场效应管IRF644S供应场效应管IRF644S
供应场效应管STU60N3LH5供应场效应管STU60N3LH5供应场效应管STU60N3LH5供应场效应管STU60N3LH5供应场效应管STU60N3LH5供应场效应管STU60N3LH5
供应场效应管STD38NH02L供应场效应管STD38NH02L供应场效应管STD38NH02L供应场效应管STD38NH02L供应场效应管STD38NH02L供应场效应管STD38NH02L供应场效应管STD38NH02L