| 价 格: | 1.50 | |
| 品牌: | IDI美国国际器件 | |
| 型号: | IRF644S | |
| 种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
| 沟道类型: | N沟道 | |
| 导电方式: | 耗尽型 | |
| 用途: | MOS-HBM/半桥组件 | |
| 封装外形: | CER-DIP/陶瓷直插 | |
| 材料: | GE-N-FET锗N沟道 | |
| 开启电压: | 900(V) | |
| 夹断电压: | 900(V) | |
| 跨导: | 23(μS) | |
| 极间电容: | 560(pF) | |
| 低频噪声系数: | 24(dB) | |
| 漏极电流: | 500(mA) | |
| 耗散功率: | 600(mW) |
供应场效应管IRF644S供应场效应管IRF644S供应场效应管IRF644S供应场效应管IRF644S供应场效应管IRF644S供应场效应管IRF644S供应场效应管IRF644S
供应场效应管STU60N3LH5供应场效应管STU60N3LH5供应场效应管STU60N3LH5供应场效应管STU60N3LH5供应场效应管STU60N3LH5供应场效应管STU60N3LH5
供应场效应管STD38NH02L供应场效应管STD38NH02L供应场效应管STD38NH02L供应场效应管STD38NH02L供应场效应管STD38NH02L供应场效应管STD38NH02L供应场效应管STD38NH02L