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韩国KIA 1N60N TO92

价 格: 450.00
品牌:KIA
型号:KIA 1N60N
种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道
导电方式:耗尽型
用途:O/振荡
封装外形:P-DIT/塑料双列直插
材料:GE-N-FET锗N沟道
开启电压:450(V)
夹断电压:600(V)
低频跨导:0.12-2.5(μS)
极间电容:013.2.5(pF)
低频噪声系数:3.0-4(dB)
漏极电流:1000(mA)
耗散功率:1.25W(mW)

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