价 格: | 450.00 | |
品牌: | KIA | |
型号: | KIA 1N60N | |
种类: | 绝缘栅(MOSFET) | |
沟道类型: | N沟道 | |
导电方式: | 耗尽型 | |
用途: | O/振荡 | |
封装外形: | P-DIT/塑料双列直插 | |
材料: | GE-N-FET锗N沟道 | |
开启电压: | 450(V) | |
夹断电压: | 600(V) | |
低频跨导: | 0.12-2.5(μS) | |
极间电容: | 013.2.5(pF) | |
低频噪声系数: | 3.0-4(dB) | |
漏极电流: | 1000(mA) | |
耗散功率: | 1.25W(mW) |
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