价 格: | 0.10 | |
加工定制: | 否 | |
品牌/商标: | FAIRCHILD/仙童 | |
型号/规格: | FQD13N10 | |
应用范围: | 功率 | |
材料: | 硅(Si) | |
极性: | PNP型 | |
击穿电压VCEO: | 10(V) | |
集电极允许电流ICM: | 20(A) | |
集电极耗散功率PCM: | 20(W) | |
截止频率fT: | 14(MHz) | |
结构: | 点接触型 | |
封装形式: | 贴片型 | |
封装材料: | 塑料封装 |
FQD13N10 100V的N沟道MOSFET
完整型号:
FQD13N10
FQD13N10TM
FQU13N10
品牌: FAIRCHILD
封装: SOT-252,TO-251
年份: 09+
数量: 300000
最小包装:编带盘装 2500/盘
产品描述:
FQD13N10 N沟道增强型功率场效应晶体管是利用飞兆半导体专有的,
平面条纹,DMOS工艺技术。这种先进的技术,特别是针对已
尽量减少对通态电阻,提供优越的开关性能,经受住了高能量脉冲
雪崩和减刑模式。这些设备是很好适用于诸如音频放大器的低电压应用中,
高效率开关直流/直流转换器及直流电动机控制。
特点
1.10A,100V,RDS(上)=0.18Ω@ VGS电压= 10V
2.低栅极电荷(典型值12nC)
3.低Crss(20 pF的典型)
4.快速切换
5.100%雪崩测试
6.改进的dv/dt的能力
LM2676 3A降压稳压器,SOT-263,TO-220厂商:NSC完整型号:LM2676S-3.3LM2676S-5.0LM2676S-12LM2676S-ADJLM2676T-3.3LM2676T-5.0LM2676T-12LM2676T-ADJ产品封装:TO-220,SOT-263特点1.效率高达94%2.简单,易于设计(使用现成的现成外部元件)3. 150兆欧的DMOS输出开关4. 3.3V,5V和12V的固定输出和可调(1.2V至37V)版本5.50μA的待机电流时,开关关闭6. ±2%全系列和负载超过,输出公差条件7.宽输入电压范围:8V至40V8. 260 kHz固定频率的内部振荡器9.-40至+125 ° C的工作结温范围应用1.设计简单,效率高(90%)降压2.开关稳压器3.高效系统的前线性电压调节器监管机构4.电池充电器"
2SK3377 开关管,N沟道,工业级功率MOSFET2SK3377-Z-E12SK3377-Z-E22SK3377-Z2SK3377描述2SK3377是N沟道MOS场效应晶体管专为大电流开关应用产品特征1.低导通状态电阻:-RDS(on)1=44毫瓦.(VGS电压= 10V,ID=10A)-RDS(on)2=78毫瓦.(VGS电压= 4.0V,ID=10A)2.内置保护二极管3.TO-251/TO-252封装4.额定值(Ta =25℃"