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供应原装 FQD13N10 仙童场效应管 可开增值税发票

价 格: 0.10
加工定制:
品牌/商标:FAIRCHILD/仙童
型号/规格:FQD13N10
应用范围:功率
材料:硅(Si)
极性:PNP型
击穿电压VCEO:10(V)
集电极允许电流ICM:20(A)
集电极耗散功率PCM:20(W)
截止频率fT:14(MHz)
结构:点接触型
封装形式:贴片型
封装材料:塑料封装

FQD13N10 100V的N沟道MOSFET

完整型号:
FQD13N10
FQD13N10TM
FQU13N10
品牌: FAIRCHILD
封装: SOT-252,TO-251
年份: 09+
数量: 300000
最小包装:编带盘装 2500/盘
产品描述:
FQD13N10 N沟道增强型功率场效应晶体管是利用飞兆半导体专有的,
平面条纹,DMOS工艺技术。这种先进的技术,特别是针对已
尽量减少对通态电阻,提供优越的开关性能,经受住了高能量脉冲
雪崩和减刑模式。这些设备是很好适用于诸如音频放大器的低电压应用中,
高效率开关直流/直流转换器及直流电动机控制。
特点
1.10A,100V,RDS(上)=0.18Ω@ VGS电压= 10V
2.低栅极电荷(典型值12nC)
3.低Crss(20 pF的典型)
4.快速切换
5.100%雪崩测试
6.改进的dv/dt的能力

"

深圳市奥伟斯科技有限公司
公司信息未核实
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