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专营仙童三极管HGTG30N60B3

价 格: 面议
是否提供加工定制:
品牌/商标:FAIRCHILD/仙童
型号/规格:HGTG30N60B3
应用范围:振荡
材料:硅(Si)
极性:NPN型
击穿电压VCEO:33(V)
集电极允许电流ICM:33(A)
集电极耗散功率PCM:33(W)
截止频率fT:33(MHz)
结构:点接触型
封装形式:直插型
封装材料:金属封装

制造商:  Fairchild Semiconductor   
 
产品种类:  IGBT 晶体管   
 
RoHS:   详细信息  
 
配置:  Single   
 
集电极—发射极电压 VCEO:  600 V   
 
集电极—射极饱和电压:  1.45 V   
 
栅极/发射极电压:  +/- 20 V   
 
Continuous Collector Current at 25 C:  60 A   
 
栅极—射极漏泄电流:  +/- 250 nA   
 
功率耗散:  208 W   
 
工作温度:  + 150 C   
 
封装 / 箱体:  TO-247-3   
 
封装:  Tube   
 
集电极连续电流 Ic:  60 A  
 
最小工作温度:  - 55 C  
 
安装风格:  Through Hole  
 
零件号别名:  HGTG30N60B3_NL  
 
我司长期现货供应二三极管,MOS,场效应管,欢迎咨询,QQ 838205202,

深圳市福田区宏诚辉电子商行
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
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  • 联系人: 陈义雄
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信息内容:

长电贴片三极管SS8550 SS8550 Y2长电贴片三极管SS8550 SS8550 Y2制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: 双极小信号 RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: PNP 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-92 集电极—发射极电压 VCEO: 25 V 发射极 - 基极电压 VEBO: - 6 V 集电极连续电流: - 1.5 A 直流电集电极电流: 1.5 A 功率耗散: 1 W 工作频率: 200 MHz 工作温度: + 150 C 封装: Bulk DC Collector/Base Gain hfe Min: 85 最小工作温度: - 65 C 零件号别名: SS8550DBU_NL

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信息内容:

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