安森美 MURS160T3G 二极管集成电路
| 价 格： | 0.41 | |
| 加工定制： | 否 | |
| 产品类型： | 快恢复二极管 | |
| 是否进口： | 是 | |
| 品牌/商标： | 0N/安森美 | |
| 型号/规格： | MURS160T3G | |
| 材料： | 硅(Si) | |
| 主要参数： | 50?600 VOLTS | |
| 用途： | 整流 | |
| 备注： | 检波 |
型号：MURS160T3G 品牌：ON 封装：SMB CASE 403A 包装：2.5K/REEL 原装现货
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2SK2225(瑞萨RENESAS)场管
信息内容：2SK2225Silicon N Channel MOS FETREJ03G1005-0200(Previous: ADE-208-140)Rev.2.00Sep 07, 2005ApplicationHigh speed power switchingFeatures• High breakdown voltage (VDSS= 1500 V)• High speed switching• Low drive current• No Secondary breakdown• Suitable for switching regulator, DC-DC converterOutlineRENESAS Package code: PRSS0003ZA-A(Package name: TO-3PFM)1. Gate2. Drain3. Sourcedzsc/18/8701/18870119.jpg0755-85260989 85260990 18923806812 何先生 深圳市世纪煦阳电子有限公司，可HK，内地交货，含税交易开17%增值税发票。 http://www.xuyoe.comhttp://xuyoe.cn.alibaba.com"
代理2SK4107，东芝MOS管，原装现货。
信息内容：2SK41072007-02-22 1TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π -MOS VI)2SK4107○ Switching Regulator Applications• Low drain−source ON resistance : RDS(ON)= 0. 33 Ω (typ.)• High forward transfer admittance : |Yfs| = 8.5 S (typ.)• Low leakage current : IDSS= 100 μA (max) (VDS= 500 V)• Enhancement mode : Vth= 2.0~4.0 V (VDS= 10 V, ID= 1 mA)Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)Characteristic Symbol Rating UnitDrain−source voltage VDSS500 VDrain−gate voltage (RGS= 20 k?) VDGR500 VGate−source voltage VGSS±30 VDC (Note 1) ID15 ADrain currentPulse (Note 1) IDP60 ADrain power dissipation (Tc = 25°C) PD150 WSingle-pulse avalanche energy(Note 2)EAS765 mJAvalanche current IAR15 ARepetitive avalanche energy (Note 3) EAR15 mJChannel temperature Tch150 °CStorage temperature range Tstg−55~150 °CNote: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage a...
