供应MOS场效应管17N80C3
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | INFINEON/英飞凌 | |
| 型号/规格： | 17N80C3 | |
| 种类： | 结型(JFET) | |
| 沟道类型： | N沟道 | |
| 导电方式： | 增强型 | |
| 用途： | D/变频换流 | |
| 材料： | N-FET硅N沟道 | |
| 开启电压： | 800（V） | |
| 夹断电压： | 800（V） | |
| 跨导： | 10（μS） | |
| 极间电容： | 50（pF） | |
| 漏极电流： | 15（mA） | |
| 耗散功率： | 0.15（mW） |
代理经销英飞凌COOLMOS系列产品。 SPA17N80C3 SPW17N80C3 SPP17N80C3英飞凌COOLMOS优惠供应 主要参数 产地：德国 SPA17N80C3 P-TO220F 800.0 V 0.29 Ohm 17.0 A 51.0 A 42.0 W SPP17N80C3 P-TO-220 800.0V 0.29 Ohm 17.0A 51.0A 208.0W 相关介绍 英飞凌功率芯片的生产工艺采用了离子注入技术，这是一种全球的工艺技术，而世界上的其他半导体厂商用的工艺仍然是热扩散技术；离子注入技术与热扩散技术相比，其优点在于，离子注入技术可以很好地控制半导体扩散到硅基板中的浓度和厚度，精度极高，生产的器件有一个重要特点就是一致性特别好，而旧的离子扩散技术由于温度控制的精度很难做得很高，所以器件的一致性不如离子注入技术。 欢迎阁下来电洽谈合作0755-26058625
SPW17N80C3 P-TO247 800.0 V 0.29 Ohm 17.0 A 51.0 A 208.0 W
结型场效应管 深圳市富利通电子有限公司
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